HGTD1N120BNS9A TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

HGTD1N120BNS9A

Encapsulados :

Fabricantes : Fairchild Semiconductor

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA

Temperatura : Min °C | Max °C

HGTD1N120BNS9A