HGT1S3N60B3DS TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
HGT1S3N60B3DS
Encapsulados :
Fabricantes : Intersil
Pasadores :
Descripción :
600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Intersil
Pasadores :
Descripción :
600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Temperatura : Min °C | Max °C