HGT1S1N120CNDS9A TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

HGT1S1N120CNDS9A

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-263AB

Temperatura : Min °C | Max °C

HGT1S1N120CNDS9A