Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

HGT1S14N36G3VLT TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

HGT1S14N36G3VLT

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 350V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB

Temperatura : Min °C | Max °C

HGT1S14N36G3VLT