Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

HGT1S11N120CNS9A TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

HGT1S11N120CNS9A

Encapsulados :

Fabricantes : Fairchild Semiconductor

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 22A I(C) | TO-263AB

Temperatura : Min °C | Max °C

HGT1S11N120CNS9A