GT25Q301_06 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
GT25Q30106
Encapsulados :
Fabricantes : Toshiba Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Toshiba Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
Temperatura : Min °C | Max °C