GT25G101SM_06 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
GT25G101SM06
Encapsulados :
Fabricantes : Toshiba Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Toshiba Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
Temperatura : Min °C | Max °C