GT10J30306 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
GT10J30306
Encapsulados :
Fabricantes : Toshiba Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Toshiba Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Temperatura : Min °C | Max °C