Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

GP600DHB16S TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

GP600DHB16S

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

GP600DHB16S