GD10NC60H TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
GD10NC60H
Encapsulados :
Fabricantes : STMicroelectronics
Pasadores :
Descripción :
N-channel 10A - 600V - DPAK Very fast PowerMESH IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
GD10NC60H
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : STMicroelectronics
Pasadores :
Descripción :
N-channel 10A - 600V - DPAK Very fast PowerMESH IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
GD10NC60H