G20N120 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
G20N120
Encapsulados :
Fabricantes : Intersil Corporation
Pasadores :
Descripción :
1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Intersil Corporation
Pasadores :
Descripción :
1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Temperatura : Min °C | Max °C