Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

FME6G10US60 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

FME6G10US60

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 600V V(BR)CES | 10A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

FME6G10US60