EGN26A180IV TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
EGN26A180IV
Encapsulados :
Fabricantes : EUDYNA[Eudyna Devices
Pasadores :
Descripción :
High Voltage High Power GaN-HEMT
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : EUDYNA[Eudyna Devices
Pasadores :
Descripción :
High Voltage High Power GaN-HEMT
Temperatura : Min °C | Max °C