Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

CM800HB66H TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

CM800HB66H

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 3.3KV V(BR)CES | 800A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

CM800HB66H