Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

CM1200HB50H TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

CM1200HB50H

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 2.5KV V(BR)CES | 2.4KA I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

CM1200HB50H