C67070-A2709-A67 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
C67070-A2709-A67
Encapsulados :
Fabricantes : SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
Pasadores :
Descripción :
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)
Temperatura : Min °C | Max °C