Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

BSM25GB120D TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

BSM25GB120D

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

BSM25GB120D