Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

BSM200GA170DN2S TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

BSM200GA170DN2S

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 290A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

BSM200GA170DN2S