7MBR25NE120 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
7MBR25NE120
Encapsulados :
Fabricantes : Fuji Semiconductors, Inc.
Pasadores :
Descripción :
TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,COMPLEX BRIDGE,1.2KV V(BR)CES,25A
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Fuji Semiconductors, Inc.
Pasadores :
Descripción :
TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,COMPLEX BRIDGE,1.2KV V(BR)CES,25A
Temperatura : Min °C | Max °C